Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này:
http://data.udn.vn/handle/DHDN/2883Toàn bộ biểu ghi siêu dữ liệu
| Trường DC | Giá trị | Ngôn ngữ |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Nguyễn, Linh Nam | - |
| dc.date.accessioned | 2016-05-18T09:14:05Z | - |
| dc.date.available | 2016-05-18T09:14:05Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.uri | http://data.udn.vn/handle/DHDN/2883 | - |
| dc.language.iso | vi | vi |
| dc.publisher | Đại học Đà Nẵng | vi |
| dc.subject | Dây nano silicon | vi |
| dc.subject | Transistor hiệu ứng trường | vi |
| dc.subject | hệ số mở/đóng | vi |
| dc.subject | hỗ dẫn | vi |
| dc.subject | vận tốc hạt dẫn | vi |
| dc.title | ĐẶC TÍNH ĐIỆN TỬ CỦA TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO SILICON | vi |
| dc.type | Working Paper | vi |
| Bộ sưu tập: | Năm 2015 | |
Các tập tin trong tài liệu này:
| Tập tin | Mô tả | Kích thước | Định dạng | |
|---|---|---|---|---|
| 9649.pdf | 95.6 kB | Adobe PDF | Xem trực tuyến |
Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.