DSpace

Vui lòng dùng định danh này để trích dẫn hoặc liên kết đến tài liệu này: http://data.udn.vn/handle/DHDN/2883
Nhan đề: ĐẶC TÍNH ĐIỆN TỬ CỦA TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG DÂY NANO SILICON
Tác giả: Nguyễn, Linh Nam
Từ khoá: Dây nano silicon
Transistor hiệu ứng trường
hệ số mở/đóng
hỗ dẫn
vận tốc hạt dẫn
Năm xuất bản: 2015
Nhà xuất bản: Đại học Đà Nẵng
Định danh: http://data.udn.vn/handle/DHDN/2883
Bộ sưu tập: Năm 2015

Các tập tin trong tài liệu này:
Tập tin Mô tả Kích thước Định dạng  
9649.pdf95.6 kBAdobe PDFXem trực tuyến


Khi sử dụng các tài liệu trong Thư viện số phải tuân thủ Luật bản quyền.